Samsung Electronics a annoncé le premier eUFS 2.1 de 1 To de l’industrie (embedded Universal Flash Storage). La puce est déjà entrée dans la production de masse, nous pouvons donc nous attendre à ce que la prochaine génération de smartphones haut de gamme l’intègre et le Galaxy S10+ sera probablement le premier à le recevoir. […]
Samsung Electronics a annoncé le premier eUFS 2.1 de 1 To de l’industrie (embedded Universal Flash Storage). La puce est déjà entrée dans la production de masse, nous pouvons donc nous attendre à ce que la prochaine génération de smartphones haut de gamme l’intègre et le Galaxy S10+ sera probablement le premier à le recevoir.
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La nouvelle puce eUFS de 1 To est aussi grande que la précédente de 512 Go (11,5 x 13 mm) tout en conservant le double de la capacité de stockage en combinant 16 couches de mémoire flash V-NAND et un contrôleur nouvellement développé. Mais Samsung a été en mesure de faire des gains de vitesse considérables.
La nouvelle puce offre des vitesses de lecture séquentielle allant jusqu’à 1000 Mo/s et une vitesse d’écriture séquentielle de 260 Mo/s. Pour mémoire, un SATA SSD standard de 2,5 pouces à une vitesse de lecture d’environ 540 Mo/s, c’est donc très impressionnant.
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Par rapport à la génération précédente de stockage de 512 Go, la vitesse de lecture aléatoire de la puce de 1 To a augmenté de 38 %.
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Voici un petit tableau comparant les différentes solutions de mémoire interne et leurs performances :
| Mémoire |
Lecture séquentielle |
Écriture séquentielle |
Lecture aléatoire |
Écriture aléatoire |
| 1 To eUFS 2.1 |
1000 Mo / s |
260 Mo / s |
58 000 IOPS |
50 000 IOPS |
| 512 Go eUFS 2.1 |
860 Mo / s |
255 Mo / s |
42 000 IOPS |
40.000 IOPS |
| Carte UFS 256 Go |
530 Mo / s |
170 Mo / s |
40,0000 IOPS |
35.000 IOPS |
| 256 eUFS 2.0 |
850 Mo / s |
260 Mo / s |
45 000 IOPS |
40 000 IOPS |
| 128 Go eUFS 2.0 |
300 Mo / s |
150 Mo / s |
19 000 IOPS |
14 000 IOPS |
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