Samsung Electronics a annoncé le premier eUFS 2.1 de 1 To de l’industrie (embedded Universal Flash Storage). La puce est déjà entrée dans la production de masse, nous pouvons donc nous attendre à ce que la prochaine génération de smartphones haut de gamme l’intègre et le Galaxy S10+ sera probablement le premier à le recevoir.
Lire : Pixel 3 Lite XL apparaît sur Geekbench avec Snapdragon 770
La nouvelle puce eUFS de 1 To est aussi grande que la précédente de 512 Go (11,5 x 13 mm) tout en conservant le double de la capacité de stockage en combinant 16 couches de mémoire flash V-NAND et un contrôleur nouvellement développé. Mais Samsung a été en mesure de faire des gains de vitesse considérables.
La nouvelle puce offre des vitesses de lecture séquentielle allant jusqu’à 1000 Mo/s et une vitesse d’écriture séquentielle de 260 Mo/s. Pour mémoire, un SATA SSD standard de 2,5 pouces à une vitesse de lecture d’environ 540 Mo/s, c’est donc très impressionnant.
Aussi : Redmi Note 7 Pro arrive avec 6 Go de RAM et 128 Go de…
Par rapport à la génération précédente de stockage de 512 Go, la vitesse de lecture aléatoire de la puce de 1 To a augmenté de 38 %.
A Voir : Un mystérieux smartphone Xiaomi avec une charge de 27W est certifié
Voici un petit tableau comparant les différentes solutions de mémoire interne et leurs performances :
| Mémoire | Lecture séquentielle | Écriture séquentielle | Lecture aléatoire | Écriture aléatoire |
| 1 To eUFS 2.1 | 1000 Mo / s | 260 Mo / s | 58 000 IOPS | 50 000 IOPS |
| 512 Go eUFS 2.1 | 860 Mo / s | 255 Mo / s | 42 000 IOPS | 40.000 IOPS |
| Carte UFS 256 Go | 530 Mo / s | 170 Mo / s | 40,0000 IOPS | 35.000 IOPS |
| 256 eUFS 2.0 | 850 Mo / s | 260 Mo / s | 45 000 IOPS | 40 000 IOPS |
| 128 Go eUFS 2.0 | 300 Mo / s | 150 Mo / s | 19 000 IOPS | 14 000 IOPS |
